美國Silicon晶振Si511 XO采用Skyworks Solutions的先進(jìn)DSPLL技術(shù)，提供從100kHz到250MHz的任何頻率。與傳統(tǒng)的XO不同，其中每個輸出頻率需要不同的晶體，Si511差分晶振使用一個固定晶體和Skyworks Solutions的專有DSPLL，合成器，以生成該范圍內(nèi)的任何頻率。此IC基于，該方法允許晶體諧振器提供增強的可靠性，改進(jìn)的機械堅固性和優(yōu)異的穩(wěn)定性。此外，該解決方案提供卓越的電源噪聲抑制，簡化了低抖動時鐘在嘈雜的環(huán)境中生成。晶體ESR和DLD分別為，經(jīng)過生產(chǎn)測試，以保證性能并提高可靠性。Si511石英晶體振蕩器在工廠可配置用于各種各樣的用戶規(guī)范，包括頻率、電源電壓、輸出格式、輸出使能極性，以及穩(wěn)定性。具體配置在，裝運，消除了長交付周期和非經(jīng)常性工程費用，與自定義頻率振蕩器關(guān)聯(lián)。應(yīng)用于：SONET/SDH/OTN，千兆以太網(wǎng)，光纖通道/SAS/SATA，PCI Express，3G-SDI/HD-SDI/SDI，電信,交換機/路由器，F(xiàn)PGA/ASIC時鐘生成。XO振蕩器511BBA148M500AAG提供從100kHz到250MHz的任何頻率

進(jìn)口貼片晶振	品牌	型號	頻率	電壓	頻率穩(wěn)定度
511FBA125M000BAG	Silicon晶振	Si511	125MHz	2.5V	±25ppm
511BBA100M000AAG	Silicon晶振	Si511	100MHz	3.3V	±25ppm
511BBA148M500BAG	Silicon晶振	Si511	148.5MHz	3.3V	±25ppm
511ABA156M250AAG	Silicon晶振	Si511	156.25MHz	3.3V	±25ppm
511BBA200M000BAG	Silicon晶振	Si511	200MHz	3.3V	±25ppm
511BBA100M000BAG	Silicon晶振	Si511	100MHz	3.3V	±25ppm
511BBA125M000BAG	Silicon晶振	Si511	125MHz	3.3V	±25ppm
511ABA100M000AAG	Silicon晶振	Si511	100MHz	3.3V	±25ppm
511BBA000110BAG	Silicon晶振	Si511	148.35165MHz	3.3V	±25ppm
511BBA148M500AAG	Silicon晶振	Si511	148.5MHz	3.3V	±25ppm
511FBA200M000BAG	Silicon晶振	Si511	200MHz	2.5V	±25ppm
511FBA200M000AAG	Silicon晶振	Si511	200MHz	2.5V	±25ppm
511ABA25M0000BAG	Silicon晶振	Si511	25MHz	3.3V	±25ppm
511FCA100M000BAG	Silicon晶振	Si511	100MHz	2.5V	±20ppm
511BCA100M000BAG	Silicon晶振	Si511	100MHz	3.3V	±20ppm
511BBA74M2500BAG	Silicon晶振	Si511	74.25MHz	3.3V	±25ppm
511ABA156M250BAG	Silicon晶振	Si511	156.25MHz	3.3V	±25ppm
511ABA156M250AAGR	Silicon晶振	Si511	156.25MHz	3.3V	±25ppm
511FBA100M000BAG	Silicon晶振	Si511	100MHz	2.5V	±25ppm
511BBA106M250BAG	Silicon晶振	Si511	106.25MHz	3.3V	±25ppm
511BBA000149BAG	Silicon晶振	Si511	74.175824MHz	3.3V	±25ppm
511FBA106M250BAG	Silicon晶振	Si511	106.25MHz	2.5V	±25ppm
511BBA125M000AAG	Silicon晶振	Si511	125MHz	3.3V	±25ppm
511FBA100M000AAG	Silicon晶振	Si511	100MHz	2.5V	±25ppm
511BBA106M250AAG	進(jìn)口晶振	Si511	106.25MHz	3.3V	±25ppm
511FBA148M500BAG	Silicon晶振	Si511	148.5MHz	2.5V	±25ppm
511BBA156M250BAG	Silicon晶振	Si511	156.25MHz	3.3V	±25ppm
511FBA156M250BAG	Silicon晶振	Si511	156.25MHz	2.5V	±25ppm
511BBA156M250AAG	Silicon晶振	Si511	156.25MHz	3.3V	±25ppm
511ABA155M520AAG	Silicon晶振	Si511	155.52MHz	3.3V	±25ppm
511BBA155M520AAG	Silicon晶振	Si511	155.52MHz	3.3V	±25ppm
511FBA000149BAG	Silicon晶振	Si511	74.175824MHz	2.5V	±25ppm
511ABA106M250BAG	Silicon晶振	Si511	106.25MHz	3.3V	±25ppm
511FBA74M2500BAG	Silicon晶振	Si511	74.25MHz	2.5V	±25ppm
511ABA000149BAG	Silicon晶振	Si511	74.175824MHz	3.3V	±25ppm
511FBA106M250AAG	Silicon晶振	Si511	106.25MHz	2.5V	±25ppm
511FBA000149AAG	Silicon晶振	Si511	74.175824MHz	2.5V	±25ppm
511ABA74M2500AAG	Silicon晶振	Si511	74.25MHz	3.3V	±25ppm
511ABA000149AAG	Silicon晶振	Si511	74.175824MHz	3.3V	±25ppm
511FBA74M2500AAG	Silicon晶振	Si511	74.25MHz	2.5V	±25ppm
511BBA000149AAG	Silicon晶振	Si511	74.175824MHz	3.3V	±25ppm
511FBA155M520BAG	Silicon晶振	Si511	155.52MHz	2.5V	±25ppm
511ABA000110BAG	Silicon晶振	Si511	148.35165MHz	3.3V	±25ppm
511ABA148M500BAG	Silicon晶振	Si511	148.5MHz	3.3V	±25ppm
511ABA155M520BAG	Silicon晶振	Si511	155.52MHz	3.3V	±25ppm
511FBA155M520AAG	Silicon晶振	Si511	155.52MHz	2.5V	±25ppm
511ABA148M500AAG	Silicon晶振	Si511	148.5MHz	3.3V	±25ppm
511FBA148M500AAG	Silicon晶振	Si511	148.5MHz	2.5V	±25ppm
511FBA156M250AAG	Silicon晶振	Si511	156.25MHz	2.5V	±25ppm
511FBA212M500BAG	Silicon晶振	Si511	212.5MHz	2.5V	±25ppm
511ABA200M000BAG	Silicon晶振	Si511	200MHz	3.3V	±25ppm
511ABA212M500AAG	Silicon晶振	Si511	212.5MHz	3.3V	±25ppm
511SAA100M000AAG	Silicon晶振	Si511	100MHz	1.8V	±50ppm
511FBA125M000AAG	Silicon晶振	Si511	125MHz	2.5V	±25ppm
511ABA125M000BAG	Silicon晶振	Si511	125MHz	3.3V	±25ppm
511ABA100M000BAG	Silicon晶振	Si511	100MHz	3.3V	±25ppm
511BBA200M000AAG	Silicon晶振	Si511	200MHz	3.3V	±25ppm
511ABA74M2500BAG	Silicon晶振	Si511	74.25MHz	3.3V	±25ppm
511BBA74M2500AAG	Silicon晶振	Si511	74.25MHz	3.3V	±25ppm
511ABA106M250AAG	Silicon晶振	Si511	106.25MHz	3.3V	±25ppm
511BBA155M520BAG	Silicon晶振	Si511	155.52MHz	3.3V	±25ppm
511FBA000110BAG	Silicon晶振	Si511	148.35165MHz	2.5V	±25ppm
511ABA000110AAG	Silicon晶振	Si511	148.35165MHz	3.3V	±25ppm
511BBA000110AAG	Silicon晶振	Si511	148.35165MHz	3.3V	±25ppm
511FBA000110AAG	Silicon晶振	Si511	148.35165MHz	2.5V	±25ppm
511ABA212M500BAG	Silicon晶振	Si511	212.5MHz	3.3V	±25ppm
511BBA212M500BAG	Silicon晶振	Si511	212.5MHz	3.3V	±25ppm
511FBA212M500AAG	Silicon晶振	Si511	212.5MHz	2.5V	±25ppm
511BBA212M500AAG	有源晶振	Si511	212.5MHz	3.3V	±25ppm
511ABA200M000AAG	Silicon晶振	Si511	200MHz	3.3V	±25ppm
511SBA156M250BAG	Silicon晶振	Si511	156.25MHz	1.8V	±50ppm
511ABA100M000BAGR	Silicon晶振	Si511	100MHz	3.3V	±25ppm
511ABA125M000BAGR	Silicon晶振	Si511	125MHz	3.3V	±25ppm
511BBA100M000BAGR	Silicon晶振	Si511	100MHz	3.3V	±25ppm
511BBA125M000BAGR	Silicon晶振	Si511	125MHz	3.3V	±25ppm
511FBA100M000BAGR	Silicon晶振	Si511	100MHz	2.5V	±25ppm
511FBA125M000BAGR	Silicon晶振	Si511	125MHz	2.5V	±25ppm
511ABA106M250BAGR	Silicon晶振	Si511	106.25MHz	3.3V	±25ppm
511BBA106M250BAGR	Silicon晶振	Si511	106.25MHz	3.3V	±25ppm
511FBA106M250BAGR	Silicon晶振	Si511	106.25MHz	2.5V	±25ppm
511ABA000149BAGR	Silicon晶振	Si511	74.175824MHz	3.3V	±25ppm
511ABA74M2500BAGR	Silicon晶振	Si511	74.25MHz	3.3V	±25ppm
511BBA000149BAGR	Silicon晶振	Si511	74.175824MHz	3.3V	±25ppm
511BBA74M2500BAGR	Silicon晶振	Si511	74.25MHz	3.3V	±25ppm
511FBA000149BAGR	Silicon晶振	Si511	74.175824MHz	2.5V	±25ppm
511FBA74M2500BAGR	Silicon晶振	Si511	74.25MHz	2.5V	±25ppm
511ABA100M000AAGR	Silicon晶振	Si511	100MHz	3.3V	±25ppm
511ABA125M000AAGR	Silicon晶振	Si511	125MHz	3.3V	±25ppm
511BBA100M000AAGR	Silicon晶振	Si511	100MHz	3.3V	±25ppm
511BBA125M000AAGR	Silicon晶振	Si511	125MHz	3.3V	±25ppm
511FBA100M000AAGR	Silicon晶振	Si511	100MHz	2.5V	±25ppm

XO振蕩器511BBA148M500AAG提供從100kHz到250MHz的任何頻率
Si511系列特征：
支持來自的任何頻率100KHz至250MHz，
低抖動操作，2到4周的交付周期，
完全穩(wěn)定性包括10年老化，
全面的生產(chǎn)測試覆蓋范圍包括晶體ESR和DLD
電源噪聲濾波器的片上LDO調(diào)節(jié)器
工作電壓：3.3、2.5或1.8V貼片晶振
差分器(LVPECL，LVDS， HCSL)或CMOS輸出選項，
可選集成1：2 CMOS扇頻緩沖區(qū)
快速抑制OE和接通電源
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)7.0x5.0mm，5.0x3.2mm，和3.2x2.5mm封裝
無鉛，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，
工作溫度：-40℃至+85℃